台积电：从 5nm 工艺至 3nm，晶体管逻辑密度可以提升 1.7 倍，性能提升 11%，同等性能下功耗可以降低 25%-30%

台积电：从 5nm 工艺至 3nm，晶体管逻辑密度可以提升 1.7 倍，性能提升 11%，同等性能下功耗可以降低 25%-30%。

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