Home
#行业资讯 SK 海力士完成 375 层 NAND 闪存芯片的技术验证，预计将在年底使用现有的晶圆厂开始量产这种高密度 NAND 芯片。

值得注意的是，SK 海力士也在尝试使用钼膜替代目前传统使用的钨膜，原因是随着层数堆叠得越来越高，钨膜电阻增加导致性能下降，而钼膜在这些条件下则具有更好的电气特性。

查看详情：https://ourl.co/113478?t

🤪订阅 ❓解封 😁推特 👍CN2VPS
来自频道: @landiansub
Loading comments...